Hoy, IBM y Samsung Electronics anuncian un avance que desafía el diseño convencionalde semiconductores y tiene como objetivo reducir el uso de energía de los chips en un 85%.
Desarrollado por un equipo conjunto de investigadores en el Albany Nanotech Complex -uno de los centros de innovación de semiconductores más avanzados a nivel mundial- el nuevo y revolucionario prototipo de diseño de IBM y Samsung implementa con éxito transistores construidos verticalmente en la superficie de un chip. Debido a que, hasta ahora, los transistores se han construido horizontalmente para colocarse planos sobre la superficie de un semiconductor, esta innovación permite que exista un número exponencial de transistores en un chip y elimina las restricciones de densidad y eficiencia energética.
La reducción de energía resultante podría conducir a mejoras significativas en el rendimiento en una amplia variedad de áreas, que incluyen:
- Baterías de teléfonos móviles que pueden durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días.
- Los procesos intensivos en energía, como las operaciones de criptominería y el cifrado de datos, podrían requerir una cantidad significativamente menor de energía y tener una huella de carbono inferior.
- La expansión de Internet de las cosas (IoT) y los dispositivos edge podría acelerarse, requiriendo menos energía para operar en entornos más difíciles, como boyas oceánicas, vehículos autónomos y naves espaciales.
El Albany Nanotech Complex y el trabajo de IBM allí también produjeron la demostración de transistores en un nodo de 2 nm a principios de este año.
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